2013年4月19日
砷化镓（Gasb）是由属于III至V半导体家族的锑和镓制成的半导体。Gasb的晶格常数为0.61nm。Gasb的独特晶格结构使其能够在复杂的半导体应用中使用。例如，2013年1月，西北大学量子设备中心中心的研究人员开发出由砷化镓/铟砷化铟制成的第一次双模无源和活性红外相机芯片。
应用程序
镓抗疟原虫发现应用：
- 红外探测器，
- 红外LED，
- 晶体管
- 激光器
- 炎热球系统
化学性质
砷化镓的化学性质提供在下表中：
| 化学性质 |
| 化学式 |
煤气 |
| 分子量 |
191.483 g / mol |
| CAS编号 |
12064-03-8 |
| iupac名称 |
镓（III）锑酸酯 |
| 团体 |
III-V. |
| 乐队差距 |
0.726 EV. |
| 带隙类型 |
间接 |
| 水晶结构 |
锌勃朗德 |
| 对称组 |
T.D.2-f43m. |
| 格子常数 |
6.09593埃 |
电气特性
砷化镓的电性质提供在下表中：
| 电气特性 |
| 内在载体浓度 |
1.5x1012.厘米-3 |
| 电子机动性 |
≤3000厘米2V.-1S.-1 |
| 空洞流动性 |
≤1000厘米2V.-1S.-1 |
| 电子扩散系数 |
≤75厘米2S.-1 |
| 空洞扩散系数 |
≤25厘米2S.-1 |
热，机械和光学性能
砷化镓的热，机械和光学性质在下表中提供：
| 机械性能 |
| 熔点 |
712℃ |
| 密度 |
5.614克厘米-3 |
| 散装模量 |
5.63•1011.达恩厘米-2 |
| 热性能 |
| 导热系数 |
0.32 W cm.-1°C.-1 |
| 热扩散率 |
0.23厘米2S.-1 |
| 热膨胀系数 |
7.75x10-6°C.-1 |
| 光学特性 |
| 折射率（589 nm @ 293 k） |
3,8 |
| 辐射重组系数（@ 300 k） |
10-10厘米3.S.-1 |
安全信息
| 安全信息 |
| GHS危险陈述 |
如果吞咽，H302有害
H332 - 如果吸入有害
H401-毒性生命 |
| 安全须知 |
S 61. |