铟锑（INSB）半导体

主题涵盖

描述
应用程序
化学性质
电气特性
热，机械和光学性能
安全信息

描述

抗疟原虫（INSB）是由锑和铟制成的晶体半导体。它属于III-V组，是窄间隙半导体材料。由锑化铟制成的探测器是敏感的，并且在1和5μm的波长之间。锑苷铟通常用于机械扫描的单检测器热成像系统。

应用程序

铟抗疟原虫发现应用：

• 作为太赫兹辐射源，因为它是一个强大的照片折叠发射器
• 它发现在红外探测器中使用，包括FLIR系统，热成像相机，红外天文学和红外归巢导弹引导系统
• 在使用光电磁探测器或光电二极管的热图像检测器中
• 在使用霍尔效应或磁阻的磁场传感器中
• 在快速晶体管中，特别是由于INSB的高载流动性

化学性质

锑酸铟的化学性质提供在下表中：

化学性质
化学式	inc
分子量	236.58 g / mol
CAS编号	1312-41-0.
iupac名称	铟锑酸酯
团体	III-V.
乐队差距	0.17 ev.
带隙类型	间接
水晶结构	锌勃朗德
对称组	T.D.2-f43m.
格子常数	6.479埃

电气特性

下表提供了抗疟原虫的电性能：

电气特性
内在载体浓度	2x1016.厘米-3
电子机动性	≤7.7x10.4.厘米2V.-1S.-1
空洞流动性	≤850厘米2V.-1S.-1
电子扩散系数	≤2x10.3.厘米2S.-1
空洞扩散系数	≤22厘米2S.-1
电阻率	4x10-13ωcm.

热，机械和光学性能

锑苷的热，机械和光学性质在下表中提供：

机械性能
熔点	527℃
密度	5.775克厘米-3
散装模量	4.7•1011.达恩厘米-2

热性能
导热系数	0.18 W cm.-1°C.-1
热扩散率	0.16厘米2S.-1
热膨胀系数	5.37X10-6°C.-1

光学特性
折射率（589 nm @ 293 k）	4.
辐射重组系数（@ 300 k）	5x10-11厘米3.S.-1

安全信息

安全信息
GHS危险陈述	如果吞咽，H302有害 H332 - 如果吸入有害 H411-水生生活毒性持久效果
安全须知	S 61.