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描述
应用程序
化学性质
电气性能
热，机械和光学性能
安全信息
描述
氮化镓（GaN）是属于III-V组的直接带隙半导体，并且通常在发光二极管中使用。该化合物非常坚硬，具有纯度晶体结构。它具有3.4 EV的宽带隙，使其能够用于光电，高频和大功率应用。
应用程序
氮化镓的应用是：
它对电离辐射的灵敏度较低，适用于卫星的太阳能电池板
它也适合于空间和军事应用，因为已经观察到设备在辐射环境中是稳定的。
蓝光光盘使用氮化镓基紫激光二极管读取。当掺杂锰时，GaN是一种很有前途的自旋电子学材料。
将氮化镓与In或Al混合可以制造出从红色到紫外光色的各种颜色的led。
氮化镓基MOSFET和MESFET晶体管可用于高功率电子设备，尤其是电动汽车和汽车应用。
GaN纳米管用于纳米级电子，生物化学传感和光电子应用。
它们也可用作有源电子扫描阵列雷达
化学性质
氮化镓的化学性质为:
| 化学性质 |
| 化学式 |
氮化镓 |
| 分子量 |
83.73 |
| 化学文摘登记号 |
25617-97-4 |
| 国际命名 |
氮化镓 |
| 集团 |
iii iv |
| 带隙 |
3.4电动汽车 |
| 带隙型 |
直接 |
| 晶体结构 |
紫零，锌融合 |
| 对称群 |
C6 v4p63.马克 |
| 晶格常数 |
一个= 3.186,c= 5.186 |
电气性能
氮化镓的电学性质是
| 电气性能 |
| 内在载体浓度 |
1 x1010厘米-3 |
| 电子迁移率 |
≤1000厘米2V-1年代-1 |
| 空洞流动性 |
≤350厘米2V-1年代-1 |
| 电子扩散系数 |
≤25厘米2年代-1 |
| 孔扩散系数 |
≤9厘米2年代-1 |
热，机械和光学性能
氮化镓的热、机械和光学性能为:
| 机械性能 |
| 熔点 |
> 2500°C |
| 密度 |
6.15 g厘米-3 |
| 体积弹性模量 |
20.4 x 1011达因厘米-2 |
| 比热(@ 298k) |
0.49 J克-1K-1 |
| 热性能 |
| 热导率 |
1.3 W厘米-1°C.-1 |
| 热扩散率 |
0.43厘米2年代-1 |
| 热膨胀系数 |
3.17 x10-6°C.-1 |
| 光学性质 |
| 折射率(589 nm @ 293 K) |
2.29 |
| 辐射重组系数（@ 300 k） |
1.1 x10-8厘米3.年代-1 |
安全信息
| 安全信息 |
| 风险声明 |
H317 - 可能导致过敏性皮肤反应 |
| 安全预防措施 |
不要吸入灰尘
S24 - 避免与皮肤接触
避免接触眼睛 |