2013年8月23日
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描述
申请
化学性质
电性能
热光学特性
近期发展
描述
氮化铝是氮化铝和硝酸铝合金,具有有用的半导体性能。在GAN上生长时,它会在压电效应的界面上产生固定电荷。这些电荷反过来诱导了称为二维电子气体的游离载体的存在,该载体可以由晶体管的门控制。
它是GAN微电子学的最多研究的半导体。
申请
氮化铝铝镀金在以下内容中找到了应用:
- 紫外线的探测器
- 半导体激光器
- Algan/GAN高电子迁移式晶体管(HEMT)晶体管。
化学性质
下表提供了氮化铝铝的化学特性:
化学性质 |
化学式 |
艾根 |
团体 |
铝 - 13 甘露 - 13 氮-15 |
晶格常数 |
3.17Å |
电性能
下表提供了氮化铝铝的电性能:
电性能 |
电阻率 |
2.5Ωmm |
乐队差距 |
4.3 - 6.2 ev |
电子移动性(@ x = 0.25) |
900-2000厘米2/vs |
热光学特性
下表中提供了氮化铝铝的热性能:
近期发展
Coffie,R等人(2004年)展示了高功率GAN/Algan/Gan Hemt(高电子动作晶体管)。它采用厚的盖层来覆盖屏幕表面状态并最大程度地减少分散体,并具有深层凹陷,以实现所需的跨导率。另外,一个薄的sio2层被沉积在栅极凹槽的排水侧,以调节门泄漏电流并改善击穿电压。
没有使用表面钝化层,并且实现了90 V的故障电压。在10 GHz时测量了创纪录的输出功率密度为12 W/mm,相关功率增添效率为40.5%。结果表明,HEMT有潜力降低分散体并产生无表面钝化的功率。
Vetury,R等人(2008年)提出了基于三个温度48 V DC应力测试在SIC上制造的Algan Hemts的磨损可靠性评估。他们还比较了DC和RF应力的影响,并在较小的样品集上进行了其他实验。结果表明,DC和RF应力的影响没有显着差异。
Soltani A等人(2009年)分析了Algan/Gan,Algan/Aln/Gan和Gan Hemt的欧姆接触形成。在这些设备上进行了TEM测量,以了解Ti和Ti/Al接触的欧姆接触形成。这些结构的欧姆行为通过蚀刻α屏障迅速而轻松地分析。