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应用程序
化学性质
电气性能
热，机械和光学性质
最近的进展
描述
砷化镓或砷化镓由三种化学元素砷、镓和铟组成。它是一种广泛应用于光电子技术的半导体。由于铟和镓同属一类，它们在化学键合方面的作用相似，常被称为砷化铟和砷化镓的一种合金。合金的性能介于两者之间，是根据镓与铟的比例来确定的。
应用程序
砷化镓铟有以下用途:
- 红外探测器
- 作为多结光伏电池和热光伏发电的中间带隙结
- 高电子迁移率器件。
化学性质
砷化镓铟的化学性质如下表所示:
| 化学性质 |
| 化学公式 |
GaInAs |
| 化学文摘登记号 |
106097-59-0 |
| 集团 |
镓- 13
铟- 13
砷- 15 |
| 晶格常数 |
5.869 |
电气性能
砷化镓铟的电性能如下表所示:
| 电气性能 |
| 电子有效质量 |
0.041 |
| 透光孔有效质量 |
0.051 |
| 介电常数 |
13．9 |
| 带隙 |
0.75电动汽车 |
| 电子迁移率 |
10000厘米2/ Vs |
| 空穴迁移率 |
250厘米2/ Vs |
热，机械和光学性质
砷化镓铟的热、机械和光学性能如下表所示:
| 热性能 |
| 热膨胀系数 |
5.66 x10－6°C－1 |
| 比热容 |
0.3 J克－1°C－1 |
| 热导率 |
0.05 W厘米－1°C－1 |
| 机械性能 |
| 密度 |
5.50克/厘米3. |
| 体积弹性模量 |
6.62 x1011达因/厘米2 |
| 德拜温度 |
56.85°C |
| 光学性质 |
| 红外折射率 |
3.43厘米2/ Vs |
| 辐射复合系数 |
0.96 x 10－10厘米2/秒 |
最近的进展
砷化铟镓基光电器件在800nm的富镓材料到3µm的富铟材料的波长范围内被广泛分析。Fu, JX(2005)演示了一种紧凑的驻波傅里叶变换干涉仪系统，该系统具有在近红外区域进行相干探测的潜力。
他还开发了该系统的傅里叶光谱分析，该系统具有pzt控制的金涂层扫描镜，闭环扫描范围为32µm。系统在谐波5处的分辨率th有此镜扫描长度的阶谱分量为37.5cm－1．分辨率也可以提高到1厘米－1改进了元素选择和系统设计。
砷化铟镓由于其优异的电学性能，在光纤通信和雷达技术中得到了广泛的应用。然而，尽管近年来这种材料在制造晶体管方面取得了进展，但还没有人能够制造出足够小的器件来封装在微芯片中。
2012年，麻省理工学院微系统技术实验室的研究人员利用这种材料开发了一种纳米尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。人们发现晶体管具有极好的逻辑特性。麻省理工学院的研究人员已经证明，在小器件尺寸下，砷化铟通道的性能优于硅。