2008年6月19日
VLSI专题讨论会IMEC平面CMOS使用32nmCMOS节点hium高卡电网和钽金门提高性能逆序延迟从15ps提高至10psIMEC还简化高k/Metal门过程,从15步减为9步
sEM和x-TEMNMOS/pMOS边界环振荡器
高性能高k/MetageCMOS最近通过在门电门和金属门间应用薄电帽实现门前和门后融合计划都证明是成功的高性能产品生产中引入门前计划,但门前选择对低成本应用仍然有吸引力,如果复杂性可降低到标准CMOS流程流门优先可能性之一是双元双电过程流,使用大都硬面罩到模式nMOS和pMOS区域有选择
IMEC对门前双电高/机门CMOS应用常规加压器提高NMOS和PMOS晶体管性能分别为16%和11%结果是逆序延迟从15ps提高至10ps第一次演示传统应力沉浸技术与高k/Metal门兼容性
IMEC还使用软面过程和湿清除化学,简化进程复杂性从双元双电到单机双电过程比二元双电量降低40%或六步并允许简单进取剖面控制并提供更好的缩放前景
IMEC证明 La和Dy封套层的使用不显示可靠性问题
CMOS核心伙伴包括Infineon公司、Qimonda公司、Intel公司、Micron公司、NXP公司、Panasonic公司、三星公司、STMicro