2010年5月17日
系列:缺陷与扩散论坛,295 - 296卷
年度回顾十一
该系列的第11卷涵盖了该领域的最新成果,包括自《年度回顾X》(卷280-281)出版以来出现的论文摘要。除了589篇陶瓷摘要外,该期刊还包括所有主要材料组的原始论文和理论:离子注入ZnO中的正电子湮没(a.d.a acharya, G.Singh and s.b.s shrivastava),溅射法制备氧化钨薄膜的光学特性(s.a.a aly),纳米磁流体磁化机理研究(j.j li and d.l li),低温退火过程中硅中砷原子的聚集(O.Velichko和o.v urunova),电流密度对电沉积硅扩散层成分和微观结构的影响(杨红,张玉玉,李玉英,汤国和贾可),AISI403钢中氢的应力诱导迁移和俘获(G.P.Tiwari, V.D.Alur和E.Ramadasan),束缚态质子上的电迁移力(a.r odder)。
目录:
- 离子注入ZnO中的正电子湮没
- Aman Deep Acharya, Girjesh Singh, S.B. Shrivastava
- 溅射法制备氧化钨薄膜的光学特性
- S.A.阿里赛
- 纳米磁流体磁化机理研究
- 李建玲,李德才p19
- 低温退火过程中砷原子在硅中的团簇
- Oleg Velichko, Olga Burunova第27页
- 电流密度对电沉积Si扩散层成分和组织的影响
- Yang Hai Li, Yu Zhu Zhang, Yun Gang Li, Guo Zhang Tang, kujia p33
- 6063和6066铝锭的正电子湮没和显微硬度测量
- M.A. Abdel-Rahman, Alaa Al-deen, Emad A. Badawi第39页
- AISI403钢中氢的应力诱导迁移和俘获
- G.P. Tiwari, V.D. Alur, E. Ramadasan p49
- 束缚态质子的电迁移力
- lod p69
来源:http://www.researchandmarkets.com/