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NXP宣布DFN晶体管组合的扩张计划

通过尼克•吉尔伯特2012年7月31日

NXP半导体,提供高性能混合信号解决方案移动计算、无线基础设施、标识、汽车、工业和照明应用,已经宣布,它已经扩大了晶体管组合在超微离散平面DFN1006无铅包。

NXP状态,它具有最广泛的投资组合在最小的行业——DFN1006晶体管包。了DFN SMD包装大小1 x 0.6 x 0.37毫米包括12小信号单60 N - p沟道沟mosfet和双极型晶体管(是)。

NXP的新扩展组合覆盖各种类型的交换和通用晶体管如PMBT3904 PMBT3906, BC847 BC857。装备组合提供42电阻晶体管,可用于各种组合的标准电阻。

对于移动应用程序,该公司提供了mosfet和延长电池寿命是由于低消费的权力。PMZB290UN mosfet的20 V减少传导损失低导通电阻的250米W。NXP PBSS2515MB低饱和压晶体管特性150 mV饱和电压很低,可以处理的最大电流1 a。

这些小产品可用于智能手机、平板电脑,MP3播放器,电子阅读器,电视和汽车仪表盘的电力转换和转换功能。

DFN1006B-3投资组合中的产品可以用作替代SOT23, SOT323或者SOT416包更大的尺寸。他们提供相同的温度和电气性能与相对较小的足迹和高度。

引用

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美国心理学协会
NXP半导体。(2019年,09年2月)。NXP宣布DFN晶体管组合的扩张计划。AZoM。2023年7月15日,检索来自//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=33702。
MLA
NXP半导体。“NXP宣布扩大晶体管DFN包组合”。AZoM。2023年7月15日。< //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=33702 >。
芝加哥
NXP半导体。“NXP宣布扩大晶体管DFN包组合”。AZoM。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=33702。(2023年7月15日通过)。
哈佛大学
NXP半导体。2019。NXP宣布DFN晶体管组合的扩张计划。AZoM,认为2023年7月15日,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=33702。