2014年5月20日
全球通信半导体,LLC (GCS),纯粹III-V化合物半导体晶片铸造,今天宣布,其专有P3 InGaP HBT现在将提供解决高802.11交流需求的增加,高线性度和效率高是关键要求5 GHz操作;此外,GCS宣布0.25 um的提供增强型(E-mode)低噪音pHEMT过程对于高性能接收机的应用程序,提供有用的频率高达26 GHz。
“大多数可用的HBT过程有一个最大稳定增益(味精)23 dB而P3 InGaP HBT过程可以达到26 dB的味精,在5 GHz,满足802.11 ac和关键4 g LTE PA高增益的要求,高效、高线性度和鲁棒性。18 v的BVceo允许放大器操作之外的一个典型的5 v直流偏压对于大多数HBT放大器,”布赖恩说安,首席执行官gc。“此外,我们引入了一个新的0.25 um E-mode pHEMT超级低噪声过程进一步加强我们的家庭pHEMT过程。新的pHEMT过程实现了Fmin 0.38 dB的增益为13.5 dB有关@ 12 GHz。170 GHz的过程也有一个Fmax能够满足大多数高频商业接收器和军事相控阵雷达系统要求的性能需求,“安继续布莱恩。
来源:http://www.gcsincorp.com/