EpiGaN,欧洲领先供应商的氮化镓功率切换(氮化镓)技术解决方案,RF(射频)和传感器应用,将展示和突出其最新GaN epiwafer发展适应5 g应用在台湾半导体显示Taipeh(9月5日至7日),和在马德里的欧洲微波周/西班牙(EuMW,9月23-28)。
EpiGaN，总部位于比利时Hasselt，是一家全球供应商硅基氮化镓和GaN-on-SiC产品解决方案用于下一代半导体技术设备。氮化镓可以实现更小、更轻和更高性能的系统，并增加了用于功率转换和传感器应用的功能。此外，GaN正准备支持新标准5G蜂窝无线网络的关键功能。这些未来的通信系统需要特别高速的连接，用于多媒体流媒体、虚拟现实、M2M或自动驾驶。
EpiGaN已经接受了5G挑战，并发布了其HVRF（高压射频）硅上GaN以及SiC晶圆上GaN产品系列的大直径版本。客户可以从各种优化的顶部结构中进行选择，以最好地满足其特定的射频设备需求——AlGaN、AlN或InAlN势垒与GaN或原位SiN帽相结合——在直径达200mm的硅衬底上，以及直径达150mm的SiC衬底上。EpiGaN的HVRF产品具有优异的动态性能、毫米波频率下的最高功率密度和最低的射频损耗（<0.8dB/mm，高达110GHz）。
为了在指定给5G的30和40GHz毫米波段实现终极射频性能，EpiGaN开发了具有超薄AlN阻挡层和原位SiN覆盖层的HEMT异质结构。这些结构使得晶体管的栅极非常靠近密集的沟道，从而最大限度地提高了两者之间的静电耦合。这使得5G MMIC开发所需的射频晶体管特性优越得多。具有晶格匹配InAlN势垒的HEMT结构表现出低于250 Ohm/sq的薄片电阻率，并实现最高晶体管电流密度。
EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士说：“我们注意到市场对我们针对5G系统优化的RF GaN产品解决方案的需求不断增加。”。“EpiGaN自豪地提供了极其广泛的RF GaN外延晶圆产品组合，使我们的全球客户群能够开发具有业界领先性能的差异化5G蜂窝网络解决方案。”
EpiGaN将于9月5日至7日在台湾半导体展（J2554展位）和9月23日至28日在欧洲微波展（354展位）上与当地代理APEC一起展示其最新的用于电源开关、射频电源和传感器应用的GaN外延晶圆解决方案。
来源:https://www.epigan.com/