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研究人员收集洞察半导体退化机制

2019年1月7日

研究人员收集的新见解名古屋理工学院(NITech)和大学合作在日本的机制导致退化的半导体材料中使用的电子设备。

重组载体在单肖克利堆积层错(1社保基金)和部分混乱(PDs)观察,诱导1社保基金的扩张。(来源:NITech)

通过强调背后的具体科学材料降解,它们为未来的发现铺平了道欧洲杯线上买球路可能使材料的性能下降。

这项研究发表在《应用物理2018年9月。碳化硅(SiC)材料的研究人员所使用的实验。碳化硅是积聚人气代替标准半导体材料的电子设备。欧洲杯足球竞彩这项研究是基于一个特定类型的SiC材料独特的结构,或4 h-sic。这种材料被暴露在光致发光以及不同的温度来产生特定类型的变形,导致应用设备的退化。研究人员能够见证这些变形如何真正发生在原子水平。

我们量化电荷粒子运动速度的地区4 h-sic材料的原子结构已经叛逃。欧洲杯猜球平台这将引导发现的方法抑制降解的应用设备等电力电子系统。

加藤Masashi博士,副教授,前沿材料科学研究所,NITech。欧洲杯足球竞彩欧洲杯线上买球

以便正确理解背后的实际机制原子变形导致退化,科学家们利用光致发光提示运动电荷的粒子和测量的速度发生。欧洲杯猜球平台他们检查特定的因素可能会限制粒子运动以及使用的材料。

他们还分析了温度升高的影响,特别想看看更高的温度会减少或增加变形的速率。

加藤博士说,一种特定的原子的存在变形,使材料降解主要是应用电力设备的问题。”在一个特定的应用设备操作,原子材料的变形,从而导致退化。这些原子变形的过程还不清楚。然而,所谓是运动电荷在材料以及地区材料已经成为缺陷导致上述原子变形,“他的状态。

到目前为止,类似的实验已经完成由其他科学家在过去;的结果显示是不一致的。光致发光的,实验的结果表明,载体复合单肖克利堆积层错(1社保基金)和部分混乱(PDs)更快的地区相比,没有1 4 h-sic社保基金。如此快速的重组将引发设备的退化与1社保基金。此外,1社保基金扩张速度与温度上升也会增加。

因此,他们促进研究,围绕应用设备的减速下降。反过来,这可能导致优质、更坚固的设备。

研究人员状态,他们的未来研究事业将专注于发现方法来防止应用设备退化以及开发设备,不会削弱。

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