研究人员审查变换性负电容场效应晶体管

智能手机由称为晶体管的大量小型开关，这些开关可以帮助管理多个任务，而不是使呼叫导航邻域，发送文本，谷歌名称和捕捉自拍。

这些晶体管使用导电通道，其电导率可以使用栅极端子改变，该栅极端子由5到6-原子厚的介电膜与通道分离。

在过去的五十年中，晶体管在摩尔定律的基础上进行了更小，发现芯片上的晶体管数量每1.5倍增加了两倍，而成本降至一半。然而，目前，已经达到了一个点，其中晶体管不能再缩放缩放。

在一项新的研究中，发表在应用物理字母， 从AIP发布，科学家们已经审查了负电容场效应晶体管（NC-FET），一种新的器件原理，提出通过仅添加薄的铁电材料来更有效地制造传统晶体管的新装置原理。相同的芯片可能会在很大程度上计算更多，尽管需要较少频繁地充电。

这项技术背后的物理正在世界各地正在评估，在他们的研究中，科学家们已经概述了NC-FET的先进研究以及对公布作品中描述的各种实验的一致性和自我一致解释的需求。

NC fet最初是由我的同事Supriyo Datta教授和他的研究生Sayeef Salahuddin提出的，Sayeef Salahuddin现在是加州大学伯克利分校的教授。

Muhammad Ashraful Alam，普渡大学电气计算机工程教授。

最初，Alam发现NC-FET的概念很有趣，因为它关注的是一个迫切的问题，即为半导体行业发现一种新型电子开关，并被广泛用于相变器件的概念框架，通常被称为“朗道开关”。

最近，当我的同事兼合著者叶培德教授开始实验演示这些晶体管时，我们有机会与他一起探索这种设备技术的非常有趣的特性。我们的文章总结了我们关于这个主题的“理论-实验”观点。

Muhammad Ashraful Alam，普渡大学电气计算机工程教授。

虽然已经发表了很多相关的文章欧洲杯猜球平台，但据研究小组介绍，NC- fet的频率可靠性限制和准静态NC的有效性仍在热烈讨论中。

鉴于分析是结论和与现在的ICS相关的，NC-FET的效果将是转化性的。

鉴于这种潜力，有必要对设备概念进行系统分析。我们发现，来自不同群体的数据分布广泛，研究人员正在使用非常不同的技术来描述他们的设备。这需要对现有数据集进行综合和全面的分析。

普德森大学佩德迪亚。

它希望科学家们希望他们的研究将使社区共同提出建立协调进步的方式，以实现这一成功的技术。