2021年4月27日
氮化镓(GaN)是一种宽禁带的半导体材料可能有一天会导致它取代硅电子应用程序。因此甘重要表征技术,能够支持GaN设备的发展。
大阪大学的研究人员报道无损方法描述晶体氮化镓的质量。他们的发现发表在应用物理表达。
氮化镓功率切换设备提供大量的优势包括高速切换、大功率操作,低导通电阻、高击穿电压。利用这些属性,氮化镓晶体的缺陷密度必须很低。
线程混乱(TDs)是一种晶体缺陷的晶体缺陷产生的传播从衬底外延层。这些TDs通常作为泄漏电流路径。
TDs可以使用他们的汉堡分类向量。可以使用各种方法来分析氮化镓和确定TDs的汉堡向量;然而,大多数有相关联的局限性,如样品制备或有限分析区域。可能还需要破坏样品制备的技术,所以测试样品不能被重用。
研究人员因此使用多光子激发光致发光(MPPL)评估甘。MPPL是一种非破坏性技术的激励激光穿透深入样本。因此理想的三维(3 d)晶体缺陷材料的评价。欧洲杯足球竞彩
“我们使用MPPL开展深入研究氮化镓晶体缺陷通过分析当地的光致发光性质和3 d缺陷结构,”解释研究第一作者Mayuko Tsukakoshi。“考虑到我们的研究结果与腐蚀坑的统计分类方法然后允许TDs。”
甘混合TDs发现扩展通过倾斜角度。此外,光致发光信号的对比表明,螺旋TDs比其他人更强的非辐射的性质。
“能够联系MPPL发现的质量无损氮化镓晶体提供了一个极好的工具,高吞吐量衬底评估,”研究相应的作者Tomoyuki Tanikawa说。“我们相信,我们的研究结果将有助于轻松地识别影响可靠性的缺陷,以及提高产量提供更多有效的路线GaN设备。”
这篇文章,“汉堡的识别向量在独立的线程混乱GaN基板通过multiphoton-excitation光致发光映射,”发表在应用物理表达在DOI:https://doi.org/10.35848/1882-0786/abf31b
来源:https://resou.osaka-u.ac.jp/en