在《华尔街日报》最近发表的一篇文章ACS应用电子材料欧洲杯足球竞彩,研究人员讨论了极端的紫外线(UV)光刻监测Mo / Si镜子使用光致发光的温度。
研究:监测温度的Mo / Si镜子在极端的紫外线光刻技术与光致发光。图片来源:asharkyu / Shutterstock.com
背景
奈米晶片制造的一个关键技术是光刻技术。非相干tin-droplet源的极端紫外线(EUV)辐射是用于制造用于这一目的的工具。目前商业EUV扫描仪的功率输出是相当可观的,因此,机器的组件的热负荷必须密切关注。
Mo / Si多层镜现在用作光学单元建立奈米晶片在半导体制造设备,因为窗口类型的光学元件是目前不切实际的EUV 13.5 nm扫描仪由于一个吸收的问题。EUV操作下,Mo / Si多层镜有很大的热负荷由于其反射率约67%,报13.5海里。
EUV扫描仪的镜面温度必须保持正常运行,需要机器监视镜的温度。欧洲杯足球竞彩材料可以使用光致发光(PL)放松从激发态到基态如果暴露后photo-absorption EUV激发。探测器或传感器是一个至关重要的组件,工作时需要仔细考虑与EUV辐射。钻石和光学窗口被发现时发出强有力的PL兴奋EUV或者超越极端紫外线(BEUV)光的光谱特性和PL光谱似乎大大依赖于温度的。
关于这项研究
在这项研究中,作者使用了Mo / Si多层镜作为光学组件EUV光刻过程在半导体制造设备制造奈米晶片。在激活与光为13.5 nm, Mo / Si多层镜发出强大的PL的波长范围200 - 420 nm。这个属性被用来直接监控温度的Mo / Si多层镜EUV光刻以来排放量的Mo / Si多层镜是依赖于它的操作温度。光致发光的内在质量,该方法监测镜子的温度可以在实时跟踪温度。
团队讨论了利用Mo / Si多层镜EUV扫描仪确认EUV PL方案的有效性。synchrotron-based兴奋的来源被用来捕获的光致发光Mo / Si镜子在国家同步辐射研究中心的EUV发出光线beamline 08年a1。45°入射角被用来直接分散EUV辐射到莫/ Si镜子。防止光beamline的散射,收集排放近98°的EUV光束光栅单色仪,光电倍增管的操作在光子计数模式被用于分析。
研究人员制造了PL光谱归一化后与单色仪的校准光谱响应。镜子上的持有人,包裹在一个自制的热浴来控制温度,温控PL光谱观察。在5 - 90°C之间,液态水被用作热介质。精度为0.1°C,一个校准热电偶用于测量温度。Mo / Si多层镜,直径25.4毫米,反射率大于65%为13.5 nm,梁及其接受角是45°。
观察
镜的温度被派生的比率占峰强度在乐队246和308海里。在68年和5°C,乐队在308 nm报道强度为11.87和6.25,分别约0.001的背景噪音水平。在112分钟,Mo / Si多层镜的温度从5到83°C左右。排放在246 nm,温度的EUV PL似乎非线性的关系。这样的温度在5.0,15.0,35.0,45.0,26.0,56.0,和68.0°C, PL乐队的强度的比率从246年到308海里是1.04,0.87,0.65,0.62,0.67,0.59,和0.55,分别。
每个数据的集成时间是1秒。发射光谱带的最大计数率超过100 000每秒,这是明显高于背景噪音的每秒少于10项。
乐队在246 nm大大在低温更强烈;然而,乐队在308 nm表现出相反的趋势热资料相比的相对强度的热趋势乐队246和308海里。在整个紫外范围内,可见PL光谱是连续发射,宽带,达到约308海里和窄频带重叠在246海里。
乐队在246年和308海里,完整的半峰宽度(应用)12和102海里左右,分别。因此,zero-phonon线(ZPL)和乐队在246海里可能相关的特点,虽然308海里的宽带是接近声子边带。
结论
总之,本研究采用Mo / Si多层镜作为一种光学组件的EUV扫描仪建立奈米晶片。作者表明,与紫外线刺激时为13.5 nm, Mo / Si多层镜发出强烈的PL的波长范围200 - 420 nm。结果显示的潜在适用性EUV PL在半导体制造工厂。PL发射敏感地依赖于温度在10 - 86°C。
为了直接评估制造纳米半导体器件的温度EUV技术,团队提出使用一种EUV PL Mo / Si多层镜。
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源
瞧,J-I。彭Y-C。卢·hc·。,等。监控Mo / Si镜的温度与光致发光在极端的紫外线光刻技术。ACS应用电子材料(2022)。欧洲杯足球竞彩https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.2c00347
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