2006年9月19日
Kyma Technologies, Inc . (Kyma)宣布增加高质量的氮化镓(GaN)模板和氮化铝(AlN)模板生长单晶氮化硅半导体衬底产品线。的和氮化镓模板都是优秀的基质用于建立一个广泛的高性能氮化硅半导体器件。
甘Kyma的模板是建立在蓝宝石和可用2”,3”,4”直径。他们表现出行业领先低缺陷密度~ 1 x107 cm-2或更低和epi准备好了非常低的表面粗糙度。
氮化物半导体领域的“GaN模板”是指一个复合底物,在其最简单的形式是一个薄层的氮化镓外延沉积等外国衬底蓝宝石和碳化硅。氮化镓层的厚度通常是10至250微米。
Kyma的AlN模板可用1微米厚层AlN沉积在蓝宝石,也可以在2”,3”,4”直径。他们代表着优秀的衬底氮化生产几种不同类型的先进的半导体器件。
“Kyma基于氮化的模板提供一个低成本的衬底的方法实现的位错密度107 cm-2而不再需要昂贵的缓冲层过程难以控制,”Ed群博士评论Kyma的工程副总裁。“GaN和AlN模板提供了客户的使用替代heteroepitiaxial生长蓝宝石上或碳化硅基板。”
产品线的甘和模板免费Kyma原生氮化镓衬底的产品线。Kyma原生氮化镓衬底产品可用的位错密度低至1 x106 cm-2和非常适合要求的应用程序需要一个位错密度小于1 x107 cm-2。
公司总裁兼首席执行官基思·埃文斯说,“虽然我们继续投资于原生氮化镓衬底制造技术,我们认为是最好的长期解决方案,大多数(如果不是全部的话)高性能氮化硅半导体器件,无可否认模板解决方案在今天的市场上的重要性。有意义的Kyma参与这部分市场,未来的领导角色。GaN和AlN模板的添加我们的产品组合是一个重要的一步,为我们的客户提供更多的选择,进一步推动Kyma参与和刺激的高性能氮化硅半导体器件市场。”
使用的制造工艺公司GaN模板和模板的受益于知识产权(IP)独家授权的北卡罗来纳州立大学和额外的新开发的IP Kyma。